年度 | 2005 |
---|---|
全部作者 | 洪伟修 |
论文名称 | Depth-Profiling the Electronic Structures at HfO2/Si Interface Grown by Molecular Beam Epitaxy |
期刊名称 | J. Vac. Sci. Technol. B |
卷数 | 23 |
发表日期 | 2005-05-01 |
登入 师大化学系
年度 | 2005 |
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全部作者 | 洪伟修 |
论文名称 | Depth-Profiling the Electronic Structures at HfO2/Si Interface Grown by Molecular Beam Epitaxy |
期刊名称 | J. Vac. Sci. Technol. B |
卷数 | 23 |
发表日期 | 2005-05-01 |